Differbetween
La implantación y difusión de iones son dos técnicas utilizadas en la producción de semiconductores con algunos otros materiales. La principal diferencia entre la implantación de iones y la difusión es que la implantación de iones es isótropa y muy direccional, mientras que la difusión es isótropa y hay difusión lateral..
- Por qué se prefiere la implantación de iones a la difusión?
- ¿Qué se entiende por implantación de iones??
- ¿Cuál es la ventaja de utilizar el proceso de implantación de iones??
- Por qué se requiere el recocido después de la implantación de iones?
- ¿Qué es la implantación de iones en semiconductores??
- ¿Qué es el recocido en la implantación de iones??
- ¿Qué es la canalización de iones??
- ¿Qué es el endurecimiento por llama y la implantación de iones??
- ¿Qué contiene la fuente de iones??
Por qué se prefiere la implantación de iones a la difusión?
Vimos cómo se introducían los dopantes en una oblea mediante la difusión ('predeposición' y 'drive-in'). Se prefiere la implantación de iones porque: -Puede introducirse una dosis controlada, baja o alta (1011-1018 cm-2) -Puede controlarse la profundidad del implante. Utilizado desde 1980, a pesar del daño del sustrato; bajo rendimiento y costo.
¿Qué se entiende por implantación de iones??
La implantación de iones es un proceso de tratamiento de superficies en el que los iones de nitrógeno o carbono se aceleran y se hacen penetrar en la superficie de un componente para impartir resistencia al desgaste. ... Con este enfoque, se puede dirigir un haz de iones de alta energía (50 a 200keV) sobre la superficie del componente.
¿Cuál es la ventaja de utilizar el proceso de implantación de iones??
Las ventajas de la implantación de iones incluyen la capacidad de implantar prácticamente cualquier especie de iones en cualquier sustrato con un alto nivel de control de ubicación (lateral y profundidad) y composición..
...
Introducción.
| Ventajas | Limitaciones |
|---|---|
| Altamente controlable y repetible | Proceso de línea de visión |
Por qué se requiere el recocido después de la implantación de iones?
Durante la implantación, los dopantes implantados se bombardean en el silicio y este proceso produce defectos puntuales dentro de la red. ... La condición de recocido tiene un efecto importante en las células solares implantadas con iones porque controlan la activación y el perfil de difusión de los dopantes implantados con iones.
¿Qué es la implantación de iones en semiconductores??
La implantación de iones es un proceso a baja temperatura mediante el cual los iones de un elemento se aceleran a un objetivo sólido, cambiando así las propiedades físicas, químicas o eléctricas del objetivo. La implantación de iones se utiliza en la fabricación de dispositivos semiconductores y en el acabado de metales, así como en la investigación de la ciencia de los materiales..
¿Qué es el recocido en la implantación de iones??
Recocido de daños en implantes de iones. Recocido de daños por implantación de iones. La implantación de iones es el proceso de depositar dopantes químicos en un sustrato bombardeando directamente el sustrato con iones de alta energía del químico que se está depositando..
¿Qué es la canalización de iones??
La influencia de la red cristalina en las trayectorias de los iones que penetran en el cristal se conoce como canalización, un término que visualiza las filas y los planos atómicos como guías que dirigen los iones energéticos a lo largo de los canales entre las filas y los planos..
¿Qué es el endurecimiento por llama y la implantación de iones??
El endurecimiento por inducción implica el uso de corrientes eléctricas inducidas para generar calor muy rápidamente a través de histéresis, generalmente en una pieza de trabajo hecha de acero de carbono medio a alto. El endurecimiento por llama utiliza quemadores de oxicombustible para calentar la pieza de trabajo por conducción..
¿Qué contiene la fuente de iones??
Una fuente de iones es un dispositivo que crea iones atómicos y moleculares. Las fuentes de iones se utilizan para formar iones para espectrómetros de masas, espectrómetros de emisión óptica, aceleradores de partículas, implantadores de iones y motores de iones..
